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  • 名称:锗(Ge)

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简要介绍
用途:制作半导体器件,红外光学器件,及太阳能电池沉底等材料。 
详细参数

主要性能参数
生长方法 提拉法
晶体结构 立方
晶格常数 a=5.65754 Å       
密 度 5.323g/cm3
熔点 937.4℃
掺杂物质 不掺杂 掺Sb 掺Ga
类型 /
N
P
电阻率 >35Ωcm 0.01~10Ωcm 0.01~10Ωcm
EPD <4×103∕cm2 <4×103∕cm2 <4×103∕cm2
尺寸 10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,
Dia4",Dia3";Dia2”;或按照客户要求划片
厚度 0.5mm,1.0mm
抛光 单面或双面
晶向 <100>、<110>、<111>、±0.5º
晶面定向精度: ±0.5°
边缘定向精度: 2°(特殊要求可达1°以内)
斜切晶片 可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°-45°)的晶片
Ra: ≤5Å(5µm×5µm)
包装 100级洁净袋,1000级超净室
 
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